| 科目名 | 半導体工学Ⅱ | 対象学年・学科 | 5D |
単位 |
2 |
| 分野 | 電子デバイス | 開講期 | 後期 | 講義形態 |
座学 |
| キーワード | 半導体デバイス，デバイス設計手法 | ||||
| 授業目的 | 半導体工学Ⅰで学んだで基礎的な半導体デバイスの動作を理解し，半導体を応用する能力を身につけるため基礎的半導体デバイスの設計法を修得する。 | ||||
| 授業概要 |
(1) 半導体の電気伝導について復習します。 授業の目的を理解し，半導体の電気伝導について説明できるようになります。 (2) PN接合の電圧 - 電流特性を理解します。 PN接合の電圧一電流特性を説明できるようになります。 (3) トンネル現象とトンネルダイオードについて学習します。 PN接合の電圧 - 電流特性を理解し、簡単な計算ができるようになります。 (4) 金属半導体接触の性質と電気的特性について学習します。 金属と半導体のエネルギーバンド図を説明できるようになります。 (5) JFETの電気的特性解析について学習します。 JFETの電気特性を理解し、JFETの設計要素が理解できるようになります。 (6) MOSトランジスタの電流 - 電圧特性について学習します。 MOSトランジスタ動作を理解し、電気的特性が理解できるようになります。 |
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| 参考 | 半導体工学Ⅰ（5年前期開講） | ||||
| 到達目標 |
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| 担当教員から |
講義はプロジェクターを使用することが多く、配布資料に沿って行います。また、配布資料が多くなるので、それを綴じるファイルを用意してください。（担当：坂口 直志） |
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